LB401 Fiches technique(PDF) - Polyfet RF Devices

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LB401 Fiches technique (PDF) - Polyfet RF Devices

LB401 Datasheet PDF - Polyfet RF Devices


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Fabricant	POLYFET [Polyfet RF Devices]

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SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR

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Description	SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR

LB401 Fiches technique (HTML) - Polyfet RF Devices

LB401 Datasheet HTML 1Page - Polyfet RF Devices

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LB401 Détails du produit

General Description

Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Militry Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others.

"Polyfet" process features low feedback and output capacitances resulting in high Ft transistors with high input impedance and high efficiency.

Numéro de pièce similaire - LB401

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Polyfet RF Devices	LB401	63Kb / 2P	RF POWER LDMOS TRANSISTOR

Description similaire - LB401

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