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L8801P Fiches technique (PDF) - Polyfet RF Devices
L8801P Datasheet PDF - Polyfet RF Devices
No de pièce L8801P
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Taille du fichier   40.64 Kbytes
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Fabricant  POLYFET [Polyfet RF Devices]
Site Internet  http://www.polyfet.com
Logo POLYFET - Polyfet RF Devices
Description SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR

L8801P Datasheet (PDF)

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L8801P Datasheet PDF - Polyfet RF Devices

No de pièce L8801P
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Fabricant  POLYFET [Polyfet RF Devices]
Site Internet  http://www.polyfet.com
Logo POLYFET - Polyfet RF Devices
Description SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR

L8801P Fiches technique (HTML) - Polyfet RF Devices


L8801P Détails du produit

General Description
Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others.
"Polyfet" process features low feedback and output capacitances, resulting in high Ft transistors with high input impedance and high efficiency.

SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR

13.0 Watts Single Ended
Package Style S08 P

HIGH EFFICIENCY, LINEAR HIGH GAIN, LOW NOISE ROHS COMPLIANT




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