F1222 Fiches technique(PDF) - Polyfet RF Devices

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F1222 Fiches technique (PDF) - Polyfet RF Devices

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PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR?

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F1222 Détails du produit

General Description
Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others.
"Polyfet" process features gold metal for greatly extended lifetime. Low output capacitance and high Ft enhance broadband performance

20Watts Single Ended Package Style AP
HIGH EFFICIENCY, LINEAR, HIGH GAIN, LOW NOISE

Numéro de pièce similaire - F1222

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