F1116 Fiches technique(PDF) - Polyfet RF Devices

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F1116 Fiches technique (PDF) - Polyfet RF Devices

F1116 Datasheet PDF - Polyfet RF Devices


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Fabricant	POLYFET [Polyfet RF Devices]

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PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR???

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Site Internet	http://www.polyfet.com

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Description	PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR???

F1116 Fiches technique (HTML) - Polyfet RF Devices

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F1116 Détails du produit

General Description
Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others.
"Polyfet" process features gold metal for greatly extended lifetime. Low output capacitance and high Ft enhance broadband performance

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

40Watts Push - Pull
Package Style AQ

HIGH EFFICIENCY, LINEAR, HIGH GAIN, LOW NOISE

Numéro de pièce similaire - F1116

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Feinmetall GmbH	F11105S090L040	121Kb / 2P	Basic Contact Probe
	F11105S150L085	120Kb / 2P	Basic Contact Probe
	F11106B090G085	119Kb / 2P	Basic Contact Probe
	F11107S090N040	119Kb / 2P	Basic Contact Probes 2025-10-23
	F11107S090N085	119Kb / 2P	Basic Contact Probe 2025-10-23

Description similaire - F1116

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
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	F1520	36Kb / 2P	PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR?
	F2002	37Kb / 2P	PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR?

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