VEC2812 Fiches technique(PDF) - Sanyo Semicon Device

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VEC2812 Fiches technique (PDF) - Sanyo Semicon Device

VEC2812 Datasheet PDF - Sanyo Semicon Device


No de pièce	VEC2812

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Fabricant	SANYO [Sanyo Semicon Device]

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MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device

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Fabricant	SANYO [Sanyo Semicon Device]

Site Internet	https://www.sanyo-av.com/us/

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Description	MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device

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VEC2812 Détails du produit

General-Purpose Switching Device Applications

Features

• DC / DC converter.

• Composite type with an N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package

facilitating high-density mounting.

• [MOSFET]

• Low ON-resistance.

• 1.8V drive.

• [SBD]

• Short reverse recovery time.

• Low forward voltage.

Numéro de pièce similaire - VEC2812

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Sanyo Semicon Device	VEC2811	49Kb / 6P	MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device
	VEC2813	54Kb / 6P	MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device
	VEC2814	54Kb / 6P	MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device
	VEC2815	72Kb / 6P	MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode
	VEC2818	64Kb / 6P	MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device

Description similaire - VEC2812

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
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	CPH5863	65Kb / 5P	MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device
	CPH5855	69Kb / 6P	MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device
	CPH5856	71Kb / 6P	MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device
	CPH5826	50Kb / 5P	MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device
	SCH2808	48Kb / 6P	MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device
	SCH2816	50Kb / 6P	MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device
	SCH2819	48Kb / 6P	MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device
	VEC2814	54Kb / 6P	MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device
	VEC2820	67Kb / 6P	MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device

À propos de Sanyo Semicon Device

Sanyo Semiconductor Device Corporation, ou Sanyo Semicon Device, était une filiale de Sanyo Electric Co., Ltd., une société d'électronique japonaise. Le dispositif Sanyo Semicon était un fabricant de dispositifs semi-conducteurs, y compris des diodes, des transistors et d'autres composants pour l'électronique grand public, l'automobile et les applications industrielles. La société a été créée en 1970 et a eu son siège à Osaka, au Japon.

Le dispositif Sanyo Semicon était connu pour ses produits de haute qualité et son engagement à répondre aux besoins de ses clients. L'entreprise s'est concentrée sur la recherche et le développement et a participé au développement de nouvelles technologies et de nouvelles produits pour l'industrie des semi-conducteurs. Les produits de Sanyo Semicon Device ont été largement utilisés dans une variété d'applications et ont aidé à soutenir la croissance de l'industrie de l'électronique.

En 2010, Sanyo Electric a été acquise par Panasonic Corporation, une société mondiale d'électronique de premier plan. En conséquence, Sanyo Semicon Device est devenu une filiale de Panasonic et a été intégrée dans son entreprise de semi-conducteurs. L'acquisition a permis à Panasonic d'élargir son portefeuille de produits et ses offres sur le marché des semi-conducteurs et de renforcer encore sa position dans l'industrie de l'électronique.

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