SCH2811 Fiches technique(PDF) - Sanyo Semicon Device

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SCH2811 Fiches technique (PDF) - Sanyo Semicon Device

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No de pièce	SCH2811

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Fabricant	SANYO [Sanyo Semicon Device]

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MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device

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Fabricant	SANYO [Sanyo Semicon Device]

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Description	MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device

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SCH2811 Détails du produit

MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET
SBD : Schottky Barrier Diode

Features
• Composite type with a P-channel sillicon MOSFET and a Schottky barrier diode contained in one package facilitating high-density mounting.
• [MOSFET]
• Low ON-resistance.
• Ultrahigh-speed switching.
• 4V drive.
• [SBD]
• Short reverse recovery time.
• Low forward voltage.

Numéro de pièce similaire - SCH2811

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Sanyo Semicon Device	SCH2812	65Kb / 5P	SCH2812
	SCH2815	56Kb / 6P	MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET MOSFET General-Purpose Switching Device
	SCH2816	65Kb / 5P	SCH2816
	SCH2816	50Kb / 6P	MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device
	SCH2816	50Kb / 6P	MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device

Description similaire - SCH2811

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Sanyo Semicon Device	CPH5846	54Kb / 6P	MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device
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	CPH5835	51Kb / 6P	MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device
	FW507	50Kb / 6P	MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device
	SCH2822	67Kb / 6P	MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device
	SCH2830	68Kb / 6P	MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device
	VEC2811	49Kb / 6P	MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device
	VEC2818	64Kb / 6P	MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device
	VEC2819	69Kb / 6P	MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device

À propos de Sanyo Semicon Device

Sanyo Semiconductor Device Corporation, ou Sanyo Semicon Device, était une filiale de Sanyo Electric Co., Ltd., une société d'électronique japonaise. Le dispositif Sanyo Semicon était un fabricant de dispositifs semi-conducteurs, y compris des diodes, des transistors et d'autres composants pour l'électronique grand public, l'automobile et les applications industrielles. La société a été créée en 1970 et a eu son siège à Osaka, au Japon.

Le dispositif Sanyo Semicon était connu pour ses produits de haute qualité et son engagement à répondre aux besoins de ses clients. L'entreprise s'est concentrée sur la recherche et le développement et a participé au développement de nouvelles technologies et de nouvelles produits pour l'industrie des semi-conducteurs. Les produits de Sanyo Semicon Device ont été largement utilisés dans une variété d'applications et ont aidé à soutenir la croissance de l'industrie de l'électronique.

En 2010, Sanyo Electric a été acquise par Panasonic Corporation, une société mondiale d'électronique de premier plan. En conséquence, Sanyo Semicon Device est devenu une filiale de Panasonic et a été intégrée dans son entreprise de semi-conducteurs. L'acquisition a permis à Panasonic d'élargir son portefeuille de produits et ses offres sur le marché des semi-conducteurs et de renforcer encore sa position dans l'industrie de l'électronique.

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