SCH2807 Fiches technique(PDF) - Sanyo Semicon Device

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SCH2807 Fiches technique (PDF) - Sanyo Semicon Device

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Fabricant	SANYO [Sanyo Semicon Device]

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MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode

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Fabricant	SANYO [Sanyo Semicon Device]

Site Internet	https://www.sanyo-av.com/us/

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Description	MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode

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SCH2807 Détails du produit

MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET
SBD : Schottky Barrier Diode

Features
• Composite type with an N-channel silicon MOSFET (SCH1407) and a schottky barrier diode (SS05015) contained in one package facilitating high-density mounting.
[MOSFET]
• Low ON-resistance.
• Ultrahigh-speed switching.
• 4V drive.
[SBD]
• Short reverse recovery time.
• Low forward voltage.

Numéro de pièce similaire - SCH2807

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
ON Semiconductor	SCH2805	111Kb / 6P	General-Purpose Switching Device Applications Jan-2011, Rev. 0
Sanyo Semicon Device	SCH2806	47Kb / 6P	General-Purpose Switching Device Applications
	SCH2808	48Kb / 6P	MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device
	SCH2809	54Kb / 6P	MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device
ON Semiconductor	SCH2809	113Kb / 6P	General-Purpose Switching Device Applications Jan-2011, Rev. 0

Description similaire - SCH2807

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
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	CPH5852	56Kb / 6P	MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode
	CPH5863	65Kb / 5P	MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device
	CPH5855	69Kb / 6P	MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device
	CPH5856	71Kb / 6P	MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device
	CPH5826	50Kb / 5P	MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device
	SCH2808	48Kb / 6P	MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device
	VEC2815	72Kb / 6P	MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode
	VEC2820	67Kb / 6P	MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device

À propos de Sanyo Semicon Device

Sanyo Semiconductor Device Corporation, ou Sanyo Semicon Device, était une filiale de Sanyo Electric Co., Ltd., une société d'électronique japonaise. Le dispositif Sanyo Semicon était un fabricant de dispositifs semi-conducteurs, y compris des diodes, des transistors et d'autres composants pour l'électronique grand public, l'automobile et les applications industrielles. La société a été créée en 1970 et a eu son siège à Osaka, au Japon.

Le dispositif Sanyo Semicon était connu pour ses produits de haute qualité et son engagement à répondre aux besoins de ses clients. L'entreprise s'est concentrée sur la recherche et le développement et a participé au développement de nouvelles technologies et de nouvelles produits pour l'industrie des semi-conducteurs. Les produits de Sanyo Semicon Device ont été largement utilisés dans une variété d'applications et ont aidé à soutenir la croissance de l'industrie de l'électronique.

En 2010, Sanyo Electric a été acquise par Panasonic Corporation, une société mondiale d'électronique de premier plan. En conséquence, Sanyo Semicon Device est devenu une filiale de Panasonic et a été intégrée dans son entreprise de semi-conducteurs. L'acquisition a permis à Panasonic d'élargir son portefeuille de produits et ses offres sur le marché des semi-conducteurs et de renforcer encore sa position dans l'industrie de l'électronique.

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