98458 Fiches technique(PDF) - Vishay Siliconix

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98458 Fiches technique (PDF) - Vishay Siliconix

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High Temperature Stability and High Reliability Conditions

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98458 Détails du produit

FEATURES
• RoHS compliant junction passivation
• TJ = 175 °C capability suitable for high reliability
and automotive requirement
• Bidirectional
• Low leakage current
• High surge capability
• Meets ISO 7637-2 and ISO 16750-2 surge specification
(varied by test condition)
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of
245 °C
• AEC-Q101 qualified
• Material categorization: for definitions of compliance

TYPICAL APPLICATIONS
Use in sensitive electronics protection against voltage
transients induced by inductive load switching and lightning,
especially for automotive load dump protection application.

Numéro de pièce similaire - 98458

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
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À propos de Vishay Siliconix

Vishay Siliconix est une filiale de Vishay Intertechnology, un fabricant mondial de composants électroniques passifs.
Vishay Siliconix est spécialisée dans la conception, la fabrication et la commercialisation de MOSFET de puissance, IGBTS et autres semi-conducteurs de puissance.
La société a été fondée en 1962 et a son siège à Santa Clara, en Californie.
Vishay Siliconix fournit des solutions d'alimentation pour une variété d'applications, notamment des systèmes d'énergie renouvelable, des équipements industriels, l'informatique et les télécommunications et l'électronique automobile.
Les produits de l'entreprise sont conçus pour une grande efficacité, une faible consommation d'énergie et une forte fiabilité, et sont fabriqués dans des installations de pointe à l'aide de processus de fabrication avancés.
En mettant l'accent sur l'innovation et la satisfaction des clients, Vishay Siliconix s'engage à fournir à ses clients les meilleures solutions de gestion de l'alimentation pour répondre à leurs besoins.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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