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ADPA9007 Fiches technique (PDF) - Analog Devices

ADPA9007 Datasheet PDF - Analog Devices
No de pièce ADPA9007
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Taille du fichier   2130.04 Kbytes
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Fabricant  AD [Analog Devices]
Site Internet  http://www.analog.com
Logo AD - Analog Devices
Description DC to 28 GHz, GaAs, pHEMT, 2 W Power Amplifier

ADPA9007 Datasheet (PDF)

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ADPA9007 Datasheet PDF - Analog Devices

No de pièce ADPA9007
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Fabricant  AD [Analog Devices]
Site Internet  http://www.analog.com
Logo AD - Analog Devices
Description DC to 28 GHz, GaAs, pHEMT, 2 W Power Amplifier

ADPA9007 Fiches technique (HTML) - Analog Devices


ADPA9007 Détails du produit

FEATURES
► Wideband, internally-matched, RF power amplifier
► DC-coupled input and output
► Integrated RF power detector
► Integrated temperature sensor
► Gain: 12.5 dB typical at 2 GHz to 16 GHz
► OP1dB: 33 dBm typical at 2 GHz to 16 GHz
► PSAT: 34 dBm typical at 2 GHz to 16 GHz
► OIP3: 45 dBm typical at 2 GHz to 16 GHz
► 32-Lead, 5.00 mm × 5.00 mm, LFCSP_CAV package

APPLICATIONS
► Electronic warfare
► Radar
► Test and measurement equipment

GENERAL DESCRIPTION
The ADPA9007 is a 2 W, RF power amplifier that operates from
DC to 28 GHz. The RF input and output are internally-matched and
DC-coupled. The ADPA9007 includes an integrated temperaturecompensated RF power detector and an integrated temperature
sensor.
The ADPA9007 amplifier provides a gain of 12.5 dB, an output
power for 1 dB compression (OP1dB) of 33 dBm, and an output
third-order intercept (OIP3) of 45 dBm from 2 GHz to 16 GHz. The
amplifier operates from a typical supply voltage of 15 V and has a
500 mA typical quiescent bias current, which is adjustable.
The ADPA9007 is fabricated on a gallium arsenide (GaAs), pseudomorphic high electron mobility transistor (pHEMT) process. The
amplifier is housed in an RoHS-compliant, 32-Lead, 5 mm × 5 mm,
lead frame chip scale package, premolded cavity [LFCSP_CAV]
and is specified for operation from −40°C to +85°C.




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