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RQG2001URAQF Fiches technique (PDF) - Renesas Technology Corp
RQG2001URAQF Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
No de pièce RQG2001URAQF
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Taille du fichier   247.17 Kbytes
Page   27 Pages
Fabricant  RENESAS [Renesas Technology Corp]
Site Internet  http://www.renesas.com
Logo RENESAS - Renesas Technology Corp
Description NPN Silicon Germanium Transistor High Frequency Medium Power Amplifier

RQG2001URAQF Datasheet (PDF)

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RQG2001URAQF Datasheet PDF - Renesas Technology Corp

No de pièce RQG2001URAQF
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Fabricant  RENESAS [Renesas Technology Corp]
Site Internet  http://www.renesas.com
Logo RENESAS - Renesas Technology Corp
Description NPN Silicon Germanium Transistor High Frequency Medium Power Amplifier

RQG2001URAQF Fiches technique (HTML) - Renesas Technology Corp


RQG2001URAQF Détails du produit

Features
• Ideal for 2 GHz Band applications. e.g 2.4 GHz WLAN, Digital cordless phone.
• Low Distortion and Excellent Linearity
   IP3 at output = +30 dBm typ., P1dB at output = +19 dBm typ., f = 1.8 GHz
• High Transition Frequency
   fT = 20 GHz typ.
• High Collector to Emitter Voltage
   VCEO = 5 V




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À propos de Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp est une société de semi-conducteurs japonaise qui fournit une large gamme de microcontrôleurs, de systèmes sur puce et de dispositifs analogiques et d'alimentation pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.
La société a été formée en 2010 grâce à la fusion de NEC Electronics Corporation et de la Renesas Technology Corporation.
Renesas est l'un des plus grands fournisseurs de microcontrôleurs au monde et est connu pour son expertise dans le développement de technologies avancées dans des domaines tels que l'Internet des objets (IoT), l'intelligence artificielle (IA) et l'électronique automobile.
La société a des opérations dans plus de 20 pays et ses produits sont utilisés dans un large éventail d'applications.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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