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STL165N10F8AG Fiches technique (PDF) - STMicroelectronics
STL165N10F8AG Datasheet PDF - STMicroelectronics
No de pièce STL165N10F8AG
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Taille du fichier   940.53 Kbytes
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Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description Automotive N‑channel 100 V, 3.2 mΩ max., 158 A STripFET F8 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package

STL165N10F8AG Datasheet (PDF)

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STL165N10F8AG Datasheet PDF - STMicroelectronics

No de pièce STL165N10F8AG
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Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description Automotive N‑channel 100 V, 3.2 mΩ max., 158 A STripFET F8 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package

STL165N10F8AG Fiches technique (HTML) - STMicroelectronics


STL165N10F8AG Détails du produit

Features
• AEC-Q101 qualified
• MSL1 grade
• 175 °C maximum operating junction temperature
• 100% avalanche tested
• Low gate charge Qg
• Wettable flank package

Applications
• Automotive motor control
• Electro mobility

Description
The STL165N10F8AG is a 100 V N-channel enhancement mode Power MOSFET
designed in STripFET F8 technology featuring an enhanced trench gate structure.
It ensures a state-of-the-art of figure of merit for very low on-state resistance while
reducing internal capacitances and gate charge for faster and more efficient
switching.




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À propos de STMicroelectronics

Stmicroelectronics est un fabricant multinational d'électronique et de semi-conducteurs basé à Genève, en Suisse.

La société propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des capteurs, des amplificateurs de puissance et des circuits intégrés pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Fondée en 1987, Stmicroelectronics a des opérations dans plus de 100 pays et est l'une des plus grandes sociétés de semi-conducteurs au monde.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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