MXP1144P Fiches technique(PDF) - Microsemi Corporation

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MXP1144P Fiches technique (PDF) - Microsemi Corporation

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No de pièce	MXP1144P

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Fabricant	MICROSEMI [Microsemi Corporation]

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PHOTOVOLTAIC BY-PASS DIODE 50 VOLTS, 1.0 Amps

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Description	PHOTOVOLTAIC BY-PASS DIODE 50 VOLTS, 1.0 Amps

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MXP1144P Détails du produit

DESCRIPTION
Large area diode chip for medium current photovoltaic bypass applications, or for higher current hybrid applications. The device is rated for 1A for applications where the device will be exposed to substantial radiation flux (space). For other applications, it may be operated at higher currents. A version with attached leads is available.

KEY FEATURES
◾ Oxide passivated structure for very low leakage currents
◾ Epitaxial structure minimizes forward voltage drop
◾ Triangular shape to fit in corner near flat of photovoltaic cell
◾ Forward voltage decreases with radiation exposure
◾ Targeted for terrestrial applications with silicon photovoltaic cells
◾ Thin construction for fit with photovoltaic cells

APPLICATIONS/BENEFITS
◾ Increases efficiency of photovoltaic arrays
◾ Protects photovoltaic cells from reverse voltage

Numéro de pièce similaire - MXP1144P

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Microsemi Corporation	MXP1144	176Kb / 4P	Photovoltaic By-Pass Diode 50 Volts, 1.0 Amps

Description similaire - MXP1144P

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Solid States Devices, I...	SDA188A	148Kb / 2P	50 AMPS 50 - 1000 VOLTS RECTIFIER ASSEMBLY
	SDR1ASM	161Kb / 2P	1.0 AMPS 50 - 1000 VOLTS 50 - 70 nsec ULTRA FAST RECTIFIER
	SDR1D	146Kb / 2P	1.0 AMPS 200 - 1200 VOLTS 50 - 80 nsec ULTRA FAST RECTIFIER
Microsemi Corporation	MXP1005	175Kb / 5P	Photovoltaic By-Pass Diode 120 Volts, 2.25 Amps
	MXP1125	199Kb / 4P	Photovoltaic By-Pass Diode 50 Volts, 1.0 Amps
	MXP1144	176Kb / 4P	Photovoltaic By-Pass Diode 50 Volts, 1.0 Amps
	MXP2001	198Kb / 4P	Photovoltaic By-Pass Diode 50 Volts, 1.0 Amps
Unisonic Technologies	1N80	163Kb / 6P	1.0 Amps, 800 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET
First Silicon Co., Ltd	FTK1N60	222Kb / 7P	1.0 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET
First Silicon Co., Ltd	FTK1N60P	321Kb / 7P	1.0 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET

À propos de Microsemi Corporation

Microsemi Corporation était une entreprise américaine spécialisée dans la conception et la fabrication de solutions de semi-conducteurs et de systèmes.
La société a été fondée en 1960 et a eu son siège à Aliso Viejo, en Californie.
Microsemi a fourni une large gamme de produits, notamment des circuits intégrés analogiques et de signaux mixtes, des réseaux de portes programmables sur le terrain (FPGA), des produits de gestion et de contrôle de l'alimentation et d'autres solutions de semi-conducteurs.
Les produits de l'entreprise ont été utilisés dans diverses applications telles que la défense et la sécurité, l'aérospatiale et l'aviation, l'industrie et les communications.
Microsemi était connu pour son expertise dans la technologie des semi-conducteurs et sa capacité à fournir des produits de haute qualité et fiables à ses clients.
En 2018, Microsemi a été acquis par Microchip Technology, un principal fournisseur de produits de microcontrôleur, de signal mixte, analogique et de sécurité.
La marque Microsemi n'est plus utilisée, mais sa technologie et ses produits continuent de faire partie du portefeuille de Microchip.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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