APT8014JFLL Fiches technique(PDF) - Microsemi Corporation

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APT8014JFLL Fiches technique (PDF) - Microsemi Corporation

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No de pièce	APT8014JFLL

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Fabricant	MICROSEMI [Microsemi Corporation]

Site Internet	http://www.microsemi.com

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Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.

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Fabricant	MICROSEMI [Microsemi Corporation]

Site Internet	http://www.microsemi.com

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Description	Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.

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APT8014JFLL Détails du produit

POWER MOS 7® FREDFET

Power MOS 7® is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7® by significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7® combines lower conduction and switching losses along with exceptionally fast switching speeds inherent with Microsemis patented metal gate structure.

• Lower Input Capacitance
• Lower Miller Capacitance
• Lower Gate Charge, Qg
• Increased Power Dissipation
• Easier To Drive
• Popular SOT-227 Package
• FAST RECOVERY BODY DIODE

Numéro de pièce similaire - APT8014JFLL

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Advanced Power Technolo...	APT8014JFLL	71Kb / 2P	Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.

Description similaire - APT8014JFLL

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Advanced Power Technolo...	APT10026L2FLL	65Kb / 2P	Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
	APT10035B2LL	69Kb / 2P	Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
	APT1201R4BLL	69Kb / 2P	Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
	APT12067JLL	69Kb / 2P	Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
	APT20M10JLL	69Kb / 2P	Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
	APT6017JFLL	166Kb / 5P	Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
	APT8043BLL	163Kb / 5P	Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
	APT10026L2FLL	105Kb / 5P	Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
Microsemi Corporation	APT6010B2LL	257Kb / 5P	Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
Microsemi Corporation	APT8024B2FLL	245Kb / 5P	Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.

À propos de Microsemi Corporation

Microsemi Corporation était une entreprise américaine spécialisée dans la conception et la fabrication de solutions de semi-conducteurs et de systèmes.
La société a été fondée en 1960 et a eu son siège à Aliso Viejo, en Californie.
Microsemi a fourni une large gamme de produits, notamment des circuits intégrés analogiques et de signaux mixtes, des réseaux de portes programmables sur le terrain (FPGA), des produits de gestion et de contrôle de l'alimentation et d'autres solutions de semi-conducteurs.
Les produits de l'entreprise ont été utilisés dans diverses applications telles que la défense et la sécurité, l'aérospatiale et l'aviation, l'industrie et les communications.
Microsemi était connu pour son expertise dans la technologie des semi-conducteurs et sa capacité à fournir des produits de haute qualité et fiables à ses clients.
En 2018, Microsemi a été acquis par Microchip Technology, un principal fournisseur de produits de microcontrôleur, de signal mixte, analogique et de sécurité.
La marque Microsemi n'est plus utilisée, mais sa technologie et ses produits continuent de faire partie du portefeuille de Microchip.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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