2SJ111 Fiches technique(PDF) - Toshiba Semiconductor

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2SJ111 Fiches technique (PDF) - Toshiba Semiconductor

2SJ111 Datasheet PDF - Toshiba Semiconductor


No de pièce	2SJ111

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Fabricant	TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]

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SILICON f CHANNEL JUNCTION TYPE

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Fabricant	TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]

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Description	SILICON f CHANNEL JUNCTION TYPE

2SJ111 Fiches technique (HTML) - Toshiba Semiconductor

2SJ111 Détails du produit

FOR LOW NOISE AUDIO AMPLIFIER APPLICATIONS.
FEATURES

. Recommended for First Stages of EQ Amplifier and MC Head Amplifiers.
. High lY fs l
: |Yf s ]=40mS(Typ.) (VDS=-10V, VGS=0, IDSS=-5mA)
. Low Noise : NF=1. OdB(Typ.

(VDS=-10V, I D=-5mA, f=lkHz, Rg=100Q)
. High Input Impedance : lGSS=lnA(Max. ) (Vdg=-25V)
. Complementary to 2SK369

Numéro de pièce similaire - 2SJ111

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Inchange Semiconductor ...	2SJ112	387Kb / 2P	isc P-Channel MOSFET Transistor
Hitachi Semiconductor	2SJ113	43Kb / 1P	SILICON P-CHANNEL MOS FET
Inchange Semiconductor ...	2SJ113	339Kb / 2P	isc P-Channel MOSFET Transistor
Hitachi Semiconductor	2SJ114	118Kb / 3P	HIGH SPEED POWER SWITCHING, HIGH FREQUENCY POWER AMPLIFIER
Inchange Semiconductor ...	2SJ114	339Kb / 2P	isc P-Channel MOSFET Transistor

Description similaire - 2SJ111

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	2SK3376TK	153Kb / 7P	Silicon N Channel Junction Type For ECM
	2SK3376TV	151Kb / 6P	Silicon N Channel Junction Type For ECM
	2SK3582TV	141Kb / 5P	Silicon N Channel Junction Type For ECM
	2SK3857TK	129Kb / 5P	Silicon N Channel Junction Type For ECM
	2SK3857TV	148Kb / 5P	Silicon N Channel Junction Type For ECM
	2SK4059TK	147Kb / 5P	Silicon N Channel Junction Type For ECM
	2SK4059TV	147Kb / 5P	Silicon N Channel Junction Type For ECM

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