IRFR3410 Fiches technique(PDF) - EVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

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N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Description	N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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IRFR3410 Détails du produit

Description
The IRFR3410 uses advanced trench technology
to provide excellent RDS(ON), low gate charge and
operation with gate voltages as low as 4.5V. This
device is suitable for use as a
Battery protection or in other Switching application.

General Features
VDS = 100V ID = 30A
RDS(ON) < 48mΩ @ VGS=10V

Application
Battery protection
Load switch
Uninterruptible power supply

Numéro de pièce similaire - IRFR3410

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
International Rectifier	IRFR3410	140Kb / 10P	Power MOSFET
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International Rectifier	IRFR3410PBF	228Kb / 10P	HEXFET Power MOSFET

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