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30N06 Fiches technique (PDF) - EVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED
30N06 Datasheet PDF - EVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED
No de pièce 30N06
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Taille du fichier   1459.59 Kbytes
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Fabricant  EVVOSEMI [EVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED]
Site Internet  https://www.evvosemi.com
Logo EVVOSEMI - EVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED
Description 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

30N06 Datasheet (PDF)

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30N06 Datasheet PDF - EVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

No de pièce 30N06
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Fabricant  EVVOSEMI [EVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED]
Site Internet  https://www.evvosemi.com
Logo EVVOSEMI - EVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED
Description 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

30N06 Fiches technique (HTML) - EVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED


30N06 Détails du produit

General Description
The 30N06 uses advanced trench technology and design to
provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be
used in a wide variety of applications.

Features
VDS = 60V,ID =30A
RDS(ON),23mΩ(Typ) @ VGS =10V
RDS(ON),29mΩ(Typ) @ VGS =4.5V
Advanced Trench Technology
Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge
Lead free product is acquired

Application
Load Switch
PWM Application
Power management




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