MJD31C Fiches technique(PDF)

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MJD31C Fiches technique (PDF) - Inchange Semiconductor Company Limited

MJD31C Datasheet PDF - Inchange Semiconductor Company Limited


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Silicon NPN Power Transistor

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Description	Silicon NPN Power Transistor

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MJD31C Détails du produit

DESCRIPTION
· Collector-Emitter Breakdown Voltage
-V(BR)CEO= 100V(Min)
· Collector-Emitter Saturation Voltage
-VCE(sat):= 1.2V(Max) @IC= 3A
·Complement to Type MJD32C
APPLICATIONS
· Designed for low power audio amplifier and low-current,
high-speed switching applications

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ON Semiconductor	MJD31C	81Kb / 8P	Complementary Power Transistors June, 2005 ??Rev. 6
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À propos de Inchange Semiconductor Company Limited

Inchange Semiconductor Company Limited est une société chinoise de semi-conducteurs fondée en 1997.

La société fournit une large gamme de produits, notamment des dispositifs d'énergie discrets et analogiques et des diodes pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Inchange est connu pour son accent sur la qualité et la fiabilité, et ses produits sont largement utilisés dans la gestion de l'alimentation, l'éclairage et d'autres applications.

La société a des opérations dans plusieurs pays et est l'un des principaux fournisseurs de dispositifs d'électricité et de diodes dans la région Asie-Pacifique.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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