MTP2P50E Fiches technique(PDF)

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MTP2P50E Fiches technique (PDF) - Inchange Semiconductor Company Limited

MTP2P50E Datasheet PDF - Inchange Semiconductor Company Limited


No de pièce	MTP2P50E

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Fabricant	ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]

Site Internet	http://www.iscsemi.cn

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P-Channel MOSFET Transistor

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Fabricant	ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]

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Description	P-Channel MOSFET Transistor

MTP2P50E Fiches technique (HTML) - Inchange Semiconductor Company Limited

MTP2P50E Datasheet HTML 1Page - Inchange Semiconductor Company Limited

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MTP2P50E Détails du produit

FEATURES
· Drain Current -ID= -2.0A@ TC=25℃
· Drain Source Voltage -VDSS= -500V(Min)
· Static Drain-Source On-Resistance
-RDS(on) = 6Ω(Max)@VGS= -10V
· Fast-recovery body diode
APPLICATIONS
· Bridge circuits
· Power Stitching

Numéro de pièce similaire - MTP2P50E

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Motorola, Inc	MTP2P50E	230Kb / 8P	TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 6.0 OHM
ON Semiconductor	MTP2P50E	103Kb / 8P	Power MOSFET 2 Amps, 500 Volts November, 2000 ??Rev. 3
	MTP2P50EG	193Kb / 7P	Power MOSFET 2 Amps, 500 Volts May, 2010 ??Rev. 6
	MTP2P50E	193Kb / 7P	Power MOSFET 2 Amps, 500 Volts May, 2010 ??Rev. 6

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À propos de Inchange Semiconductor Company Limited

Inchange Semiconductor Company Limited est une société chinoise de semi-conducteurs fondée en 1997.

La société fournit une large gamme de produits, notamment des dispositifs d'énergie discrets et analogiques et des diodes pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Inchange est connu pour son accent sur la qualité et la fiabilité, et ses produits sont largement utilisés dans la gestion de l'alimentation, l'éclairage et d'autres applications.

La société a des opérations dans plusieurs pays et est l'un des principaux fournisseurs de dispositifs d'électricité et de diodes dans la région Asie-Pacifique.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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