2N3250A Fiches technique(PDF) - Microsemi Corporation

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2N3250A Fiches technique (PDF) - Microsemi Corporation

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Fabricant	MICROSEMI [Microsemi Corporation]

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PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR

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Fabricant	MICROSEMI [Microsemi Corporation]

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Description	PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR

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2N3250A Détails du produit

PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/323

Numéro de pièce similaire - 2N3250A

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New Jersey Semi-Conduct...	2N3250A	148Kb / 1P	SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081
Continental Device Indi...	2N3250A	214Kb / 4P	PNP SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTORS

Description similaire - 2N3250A

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Siemens Semiconductor G...	SMBT2907A	248Kb / 7P	PNP Silicon Switching Transistor
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Microsemi Corporation	JANTX2N2905A-PIND	67Kb / 2P	PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR

À propos de Microsemi Corporation

Microsemi Corporation était une entreprise américaine spécialisée dans la conception et la fabrication de solutions de semi-conducteurs et de systèmes.
La société a été fondée en 1960 et a eu son siège à Aliso Viejo, en Californie.
Microsemi a fourni une large gamme de produits, notamment des circuits intégrés analogiques et de signaux mixtes, des réseaux de portes programmables sur le terrain (FPGA), des produits de gestion et de contrôle de l'alimentation et d'autres solutions de semi-conducteurs.
Les produits de l'entreprise ont été utilisés dans diverses applications telles que la défense et la sécurité, l'aérospatiale et l'aviation, l'industrie et les communications.
Microsemi était connu pour son expertise dans la technologie des semi-conducteurs et sa capacité à fournir des produits de haute qualité et fiables à ses clients.
En 2018, Microsemi a été acquis par Microchip Technology, un principal fournisseur de produits de microcontrôleur, de signal mixte, analogique et de sécurité.
La marque Microsemi n'est plus utilisée, mais sa technologie et ses produits continuent de faire partie du portefeuille de Microchip.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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