IRG4PC40UPBF Fiches technique(PDF) - International Rectifier

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IRG4PC40UPBF Fiches technique (PDF) - International Rectifier

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Fabricant	IRF [International Rectifier]

Site Internet	http://www.irf.com

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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT

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IRG4PC40UPBF Détails du produit

Benefits
• Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available
• IGBTs optimized for specified application conditions
• Designed to be a "drop-in" replacement for equivalent
industry-standard Generation 3 IR IGBTs

Features
• UltraFast: Optimized for high operating
   frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200
   kHz in resonant mode
• Generation 4 IGBT design provides tighter
   parameter distribution and higher efficiency than
   Generation 3
• Industry standard TO-247AC package
• Lead-Free

Numéro de pièce similaire - IRG4PC40UPBF

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
International Rectifier	IRG4PC40UPBF	641Kb / 9P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
International Rectifier	IRG4PC40UPBF	641Kb / 9P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Description similaire - IRG4PC40UPBF

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
International Rectifier	IRGMC50F	552Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Fast Speed IGBT
	IRG4BC40UPBF	226Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT
	IRG4PC60U-P	123Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT
	IRG4PC30UPBF	273Kb / 9P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT
	IRG4PC50UPBF	640Kb / 9P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT
	IRG4BC30S-SPBF	212Kb / 10P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT
	IRG4PC60U-PPBF	235Kb / 9P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT
	IRG4PC60UPBF	236Kb / 9P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT
Vishay Siliconix	VS-GA200SA60UP	153Kb / 8P	Insulated Gate Bipolar Transistor (Ultrafast Speed IGBT), 100 A 26-Oct-11
Vishay Siliconix	GA200SA60UP	153Kb / 8P	Insulated Gate Bipolar Transistor (Ultrafast Speed IGBT), 100 A 26-Oct-11

À propos de International Rectifier

International Rectifier (IR) était une entreprise américaine spécialisée dans la conception et la fabrication de semi-conducteurs de gestion de l'énergie et de contrôle de l'énergie.
L'entreprise a été fondée en 1947 et a eu son siège social à El Segundo, en Californie.
L'IR a fourni une large gamme de produits, notamment des ICS de gestion de l'énergie, des MOSFET de puissance, des IGBT et d'autres produits de contrôle de l'énergie.
Les produits de l'entreprise ont été utilisés dans diverses applications telles que l'informatique, les télécommunications et l'automatisation industrielle.
L'IR était connue pour son expertise en gestion de l'énergie et de la technologie de contrôle et sa capacité à fournir des produits de haute qualité et fiables à ses clients.
En 2014, l'IR a été acquise par Infineon Technologies, l'un des principaux fournisseurs de produits de gestion de l'énergie et de contrôle et d'autres solutions de semi-conducteurs.
La marque International Rectifier n'est plus utilisée, mais sa technologie et ses produits continuent de faire partie du portefeuille d'Infineon.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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