NTH4L040N120SC1 Fiches technique(PDF) - ON Semiconductor

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NTH4L040N120SC1 Fiches technique (PDF) - ON Semiconductor

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No de pièce	NTH4L040N120SC1

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Fabricant	ONSEMI [ON Semiconductor]

Site Internet	http://www.onsemi.com

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Description

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 40mohm, 1200V, M1, TO-247-4L

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Fabricant	ONSEMI [ON Semiconductor]

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Description	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 40mohm, 1200V, M1, TO-247-4L

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NTH4L040N120SC1 Détails du produit

Features
• Typ. RDS(on) = 40 m
• Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 106 nC)
• High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 137 pF)
• 100% Avalanche Tested
• TJ = 175°C
• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,
Pb−Free 2LI (on second level interconnection)
Typical Applications
• UPS
• DC-DC Converter
• Boost Inverter

Numéro de pièce similaire - NTH4L040N120SC1

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
ON Semiconductor	NTH4L040N120SC1	282Kb / 8P	MOSFET ??SiC Power, Single N-Channel, TO247-4L 1200 V, 40 m, 58 A April, 2020 ??Rev. 1
ON Semiconductor	NTH4L040N120SC1	360Kb / 8P	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 40 mohm, 1200V, M1, TO-247-4L May, 2022 - Rev. 3
Inchange Semiconductor ...	NTH4L040N120SC1	361Kb / 3P	SiC N-Channel MOSFET
ON Semiconductor	NTH4L040N120SC1	360Kb / 8P	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 40 mohm, 1200V, M1, TO-247-4L May, 2022 - Rev. 3

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ON Semiconductor	NTH4L040N120SC1	360Kb / 8P	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 40 mohm, 1200V, M1, TO-247-4L May, 2022 - Rev. 3
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	NTH4L020N120SC1	362Kb / 8P	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 20 mohm, 1200V, M1, TO-247-4L May, 2022 - Rev. 4
	NTBG040N120SC1	330Kb / 8P	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 40mohm, 1200V, M1, D2PAK-7 January, 2023 - Rev. 3
	NTH4L020N120SC1	362Kb / 8P	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 20mohm, 1200V, M1, TO-247-4L January, 2023 - Rev. 5
	NTH4L080N120SC1	411Kb / 8P	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 80mohm, 1200V, M1, TO-247-4L January, 2023 - Rev. 3
	NTH4L160N120SC1	357Kb / 8P	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 160mohm, 1200V, M1, TO-247-4L January, 2023 - Rev. 5
	NTHL040N120SC1	313Kb / 7P	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 40mohm, 1200V, M1, TO-247-3L January, 2023 - Rev. 4
	NTHL020N120SC1	304Kb / 7P	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 20mohm, 1200V, M1, TO-247-3L January, 2023 - Rev. 3
	NVH4L160N120SC1	358Kb / 8P	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 160 mohm, 1200V, M1, TO-247-4L May, 2022 - Rev. 4

À propos de ON Semiconductor

ON Semiconductor est une entreprise cotée en bourse qui conçoit, développe et fabrique une large gamme de produits semi-conducteurs pour une variété d'applications, notamment les marchés automobiles, informatiques, biens de consommation, industriels et communications.
La société a été fondée en 1999 et a son siège à Phoenix, en Arizona.
On Semiconductor offre un large portefeuille de gestion de l'énergie, des semi-conducteurs analogiques et discrets, notamment des MOSFET de puissance, des diodes, des redresseurs, des régulateurs de tension, entre autres.
Les produits de l'entreprise sont conçus pour être économes en énergie, fiables et rentables et sont utilisés dans une variété d'applications, notamment l'électronique portable, les systèmes d'automatisation industrielle, les systèmes d'énergie renouvelable et l'électronique automobile.
On Semiconductor s'engage dans l'innovation et la satisfaction des clients, et s'engage à fournir les meilleures solutions de semi-conducteurs pour répondre aux besoins de nos clients.

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