MSC2X31SDA070J Fiches technique(PDF)

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MSC2X31SDA070J Fiches technique (PDF) - Inchange Semiconductor Company Limited

MSC2X31SDA070J Datasheet PDF - Inchange Semiconductor Company Limited


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Fabricant	ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]

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SiC Schottky Barrier Diodes

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Fabricant	ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]

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Description	SiC Schottky Barrier Diodes

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MSC2X31SDA070J Détails du produit

FEATURES
·Low forward voltage
·Low leakage current
·Avalanche-energy rated
·RoHS compliant
·Isolated voltage to 2500 V
APPLICATIONS
·Power factor correction (PFC)
· Anti-parallel diode
·Motor controllers
· Freewheeling diode
· Snubber/clamp diode

Numéro de pièce similaire - MSC2X31SDA070J

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Microsemi Corporation	MSC2X31SDA120J	1Mb / 7P	Dual Silicon Carbide Schottky Barrier Diodes

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	SCS112AG	136Kb / 1P	SiC Schottky Barrier Diodes
	SCS120AG	136Kb / 1P	SiC Schottky Barrier Diodes
	SCS220AGHR	478Kb / 6P	SiC Schottky Barrier Diode
	SCS140AE2	419Kb / 4P	SiC Schottky Barrier Diode
Toshiba Semiconductor	TRS8E65F	285Kb / 6P	SiC Schottky Barrier Diode
Toshiba Semiconductor	TRS10E65F	294Kb / 6P	SiC Schottky Barrier Diode
Rohm	S6307	973Kb / 5P	SiC Schottky Barrier Diode

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À propos de Inchange Semiconductor Company Limited

Inchange Semiconductor Company Limited est une société chinoise de semi-conducteurs fondée en 1997.

La société fournit une large gamme de produits, notamment des dispositifs d'énergie discrets et analogiques et des diodes pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Inchange est connu pour son accent sur la qualité et la fiabilité, et ses produits sont largement utilisés dans la gestion de l'alimentation, l'éclairage et d'autres applications.

La société a des opérations dans plusieurs pays et est l'un des principaux fournisseurs de dispositifs d'électricité et de diodes dans la région Asie-Pacifique.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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