IMT65R022M1H Fiches technique(PDF)

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IMT65R022M1H Fiches technique (PDF) - Inchange Semiconductor Company Limited

IMT65R022M1H Datasheet PDF - Inchange Semiconductor Company Limited


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Fabricant	ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]

Site Internet	http://www.iscsemi.cn

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SiC N-Channel MOSFET

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Fabricant	ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]

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Description	SiC N-Channel MOSFET

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IMT65R022M1H Détails du produit

FEATURES
·Drain Current -ID= 79A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage -VDSS= 650V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
-RDS(on) = 42mΩ(Max)@VGS= 20V
APPLICATIONS
·Switch Mode Power Supply (SMPS)
·Uninterruptible Power Supply (UPS)
·Power Factor Correction (PFC)

Numéro de pièce similaire - IMT65R022M1H

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Infineon Technologies A...	IMT65R022M1H	1Mb / 15P	MOSFET 650 V CoolSiCª M1 SiC Trench Power Device Rev. 2.0, 2023-03-08

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À propos de Inchange Semiconductor Company Limited

Inchange Semiconductor Company Limited est une société chinoise de semi-conducteurs fondée en 1997.

La société fournit une large gamme de produits, notamment des dispositifs d'énergie discrets et analogiques et des diodes pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Inchange est connu pour son accent sur la qualité et la fiabilité, et ses produits sont largement utilisés dans la gestion de l'alimentation, l'éclairage et d'autres applications.

La société a des opérations dans plusieurs pays et est l'un des principaux fournisseurs de dispositifs d'électricité et de diodes dans la région Asie-Pacifique.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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