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STD18NF03L Fiches technique (PDF) - STMicroelectronics
STD18NF03L Datasheet PDF - STMicroelectronics
No de pièce STD18NF03L_V01
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Taille du fichier   430.26 Kbytes
Page   15 Pages
Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description Automotive-grade N-channel 30 V, 38 mΩ typ., 17 A STripFET II Power MOSFET in a DPAK package

STD18NF03L Datasheet (PDF)

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STD18NF03L Datasheet PDF - STMicroelectronics

No de pièce STD18NF03L_V01
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Taille du fichier   430.26 Kbytes
Page   15 Pages
Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description Automotive-grade N-channel 30 V, 38 mΩ typ., 17 A STripFET II Power MOSFET in a DPAK package

STD18NF03L Fiches technique (HTML) - STMicroelectronics


STD18NF03L Détails du produit

Features
AEC-Q101 qualified
Exceptional dv/dt capability
100% avalanche tested
Low gate charge

Applications
• Switching applications

Description
This Power MOSFET has been developed using STMicroelectronics' unique
STripFET process, which is specifically designed to minimize input capacitance and
gate charge. This renders the device suitable for use as primary switch in advanced
high-efficiency isolated DC-DC converters for telecom and computer applications,
and applications with low gate charge driving requirements.




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À propos de STMicroelectronics

Stmicroelectronics est un fabricant multinational d'électronique et de semi-conducteurs basé à Genève, en Suisse.

La société propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des capteurs, des amplificateurs de puissance et des circuits intégrés pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Fondée en 1987, Stmicroelectronics a des opérations dans plus de 100 pays et est l'une des plus grandes sociétés de semi-conducteurs au monde.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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