IRF251 Fiches technique(PDF) - IXYS Corporation

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IRF251 Fiches technique (PDF) - IXYS Corporation

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High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series

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Description	High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series

IRF251 Fiches technique (HTML) - IXYS Corporation

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IRF251 Détails du produit

FEATURES:
• Fast switching times
• Low RDS(on) HDMOS™ process
• Rugged polysilicon gate cell structure
• Excellent high voltage stability
• Low input capacitance
• Improved high temperature reliability

APPLICATIONS:
• Switching power supplies
• Motor controls
• Audio Amplifiers
• Inverters
• Choppers

Numéro de pièce similaire - IRF251

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Samsung semiconductor	IRF251	215Kb / 5P	N-CHANNEL POWER MOSFETS
New Jersey Semi-Conduct...	IRF251	136Kb / 3P	N-CHANNE POWER MOSFETS
New Jersey Semi-Conduct...	IRF251	137Kb / 3P	N-CHANNEL POWER MOSFETS
Inchange Semiconductor ...	IRF251	48Kb / 2P	Nanosecond Switching Speed

Description similaire - IRF251

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
IXYS Corporation	IRFC350	45Kb / 1P	N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series
NXP Semiconductors	AFM906N	701Kb / 16P	High Ruggedness N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Rev. 1, 8/2016
	AFT05MS003N	1Mb / 20P	High Ruggedness N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET Rev. 0, 8/2015
	AFT05MS004N	1Mb / 23P	High Ruggedness N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET Rev. 0, 7/2014
	AFT05MS006N	996Kb / 23P	High Ruggedness N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET Rev. 0, 2/2014
	AFT09MP055N	965Kb / 21P	High Ruggedness N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Rev. 0, 7/2013
	AFT09MS007N	1Mb / 28P	High Ruggedness N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET Rev. 1, 4/2014
	AFT09MS015N	861Kb / 18P	High Ruggedness N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET Rev. 1, 7/2014
	MRF1K50N	827Kb / 21P	High Ruggedness N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Rev. 0, 11/2016
	MMRF1050H	424Kb / 12P	RF Power LDMOS Transistor High Ruggedness N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET Rev. 0, 02/2021

À propos de IXYS Corporation

Ixys Corporation est une entreprise technologique spécialisée dans la conception, la fabrication et la vente de semi-conducteurs de puissance et de circuits intégrés (CI). La société a été fondée en 1983 et a son siège à Milpitas, en Californie. Ixys a une présence mondiale, avec des opérations et des clients dans plus de 60 pays à travers le monde.

IXYS fournit une large gamme de produits et de solutions, notamment des MOSFET de puissance, des transistors bipolaires de puissance, des thyristors, des diodes et des CI pour les applications de gestion et de contrôle de l'alimentation. Les produits de l'entreprise sont utilisés dans une variété d'applications, notamment les énergies renouvelables, l'industrie, l'automobile et l'électronique grand public.

Ixys est connu pour son expertise dans la technologie de semi-conducteurs de puissance et sa capacité à fournir des solutions hautes performances et rentables à ses clients. L'entreprise s'engage dans l'innovation et la recherche et le développement et participe activement à l'élaboration de nouvelles technologies et solutions pour le marché des semi-conducteurs de puissance. IXYS est un leader reconnu sur le marché des semi-conducteurs de puissance et continue de fournir des produits et services de haute qualité à ses clients.

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