UPD5747T6J Fiches technique(PDF)

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UPD5747T6J Fiches technique (PDF) - Renesas Technology Corp

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MOS ANALOG INTEGRATED CIRCUIT

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UPD5747T6J Détails du produit

FEATURES
• Low Noise : NV = −101 dBV TYP. @ VDD = 1.5 V, Cin = 3 pF, RL = 2.2 kΩ
: NV = −102 dBV TYP. @ VDD = 1.5 V, Cin = 5 pF, RL = 2.2 kΩ
• High Gain : GV = +5.7 dB TYP. @ VDD = 1.5 V, Cin = 3 pF, RL = 2.2 kΩ
: GV = +7.7 dB TYP. @ VDD = 1.5 V, Cin = 5 pF, RL = 2.2 kΩ
• Low Consumption Current : IDD = 190 μA TYP. @ VDD = 1.5 V, RL = 2.2 kΩ
• Built-in the capacitor for RF noise immunity
• High ESD voltage
• 3-pin thin-type lead-less minimold (1.2 × 1.0 × 0.33 mm)

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À propos de Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp est une société de semi-conducteurs japonaise qui fournit une large gamme de microcontrôleurs, de systèmes sur puce et de dispositifs analogiques et d'alimentation pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.
La société a été formée en 2010 grâce à la fusion de NEC Electronics Corporation et de la Renesas Technology Corporation.
Renesas est l'un des plus grands fournisseurs de microcontrôleurs au monde et est connu pour son expertise dans le développement de technologies avancées dans des domaines tels que l'Internet des objets (IoT), l'intelligence artificielle (IA) et l'électronique automobile.
La société a des opérations dans plus de 20 pays et ses produits sont utilisés dans un large éventail d'applications.

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