PJD06N03 Fiches technique(PDF) - Pan Jit International Inc.

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25V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Description	25V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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PJD06N03 Détails du produit

FEATURES

• RDS(ON), VGS@10V, IDS@30A=6mΩ

• RDS(ON), VGS@4.5V, IDS@30A=9mΩ

• Advanced trench process technology

• High Density Cell Design For Uitra Low On-Resistance

• Specially Designed for DC/DC Converters and Motor Drivers

• Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

• Pb free product : 99% Sn above can meet RoHS environment substance directive request

Numéro de pièce similaire - PJD06N03

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
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