MMBT3906DW Fiches technique(PDF) - Nanjing International Group Co

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MMBT3906DW Fiches technique (PDF) - Nanjing International Group Co

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Fabricant	DGNJDZ [Nanjing International Group Co]

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S0OT-363 Plastic-Encapsulate Transistors

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MMBT3906DW Détails du produit

FEATURES
* Epitaxial planar die construction
*® ldeal for low power amplification and switching

Numéro de pièce similaire - MMBT3906DW

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
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WILLAS ELECTRONIC CORP	MMBT3906DW1T1	349Kb / 6P	Dual Bias Resistor Transistor
Guangdong Kexin Industr...	MMBT3906DW	826Kb / 1P	PNP Transistors

Description similaire - MMBT3906DW

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	BC846PN	1Mb / 6P	SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors
	BC847BDW	734Kb / 3P	SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors
	BC847BS	1Mb / 4P	SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors
	BC847PN	1Mb / 6P	SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors
	BC847S	735Kb / 3P	SOT-363 Plastic-=Encapsulate Transistors
	MMBT3904DW	944Kb / 4P	SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors
	MMBT3946DW	1Mb / 6P	SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors
	MMDT5401	1Mb / 4P	SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors

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