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NX5530SA Fiches technique (PDF) - Renesas Technology Corp

NX5530SA Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
No de pièce NX5530SA
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Fabricant  RENESAS [Renesas Technology Corp]
Site Internet  http://www.renesas.com
Logo RENESAS - Renesas Technology Corp
Description LASER DIODE

NX5530SA Datasheet (PDF)

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NX5530SA Datasheet PDF - Renesas Technology Corp

No de pièce NX5530SA
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Fabricant  RENESAS [Renesas Technology Corp]
Site Internet  http://www.renesas.com
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Description LASER DIODE

NX5530SA Fiches technique (HTML) - Renesas Technology Corp


NX5530SA Détails du produit

1 550 nm InGaAsP MQW-FP LASER DIODE FOR OTDR APPLICATIONS

DESCRIPTION
The NX5530SA is a 1 550 nm Multiple Quantum Well (MQW) structured
Fabry-Perot (FP) laser diode. This device is specified to operate under
pulsed condition and designed for light source of Optical Time Domain
Reflectometer (OTDR).
FEATURES
• High output power PO = 250 mW @ IFP = 1 000 mA*1
• Long wavelength λC = 1 550 nm
*1 Pulse Conditions: Pulse width (PW) = 10 μs, Duty = 1%




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À propos de Renesas Technology Corp


Renesas Technology Corp est une société de semi-conducteurs japonaise qui fournit une large gamme de microcontrôleurs, de systèmes sur puce et de dispositifs analogiques et d'alimentation pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.
La société a été formée en 2010 grâce à la fusion de NEC Electronics Corporation et de la Renesas Technology Corporation.
Renesas est l'un des plus grands fournisseurs de microcontrôleurs au monde et est connu pour son expertise dans le développement de technologies avancées dans des domaines tels que l'Internet des objets (IoT), l'intelligence artificielle (IA) et l'électronique automobile.
La société a des opérations dans plus de 20 pays et ses produits sont utilisés dans un large éventail d'applications.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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