NE6501077 Fiches technique(PDF)

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NE6501077 Fiches technique (PDF) - Renesas Technology Corp

NE6501077 Datasheet PDF - Renesas Technology Corp


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GaAs MES FET

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NE6501077 Détails du produit

10 W L, S-BAND POWER GaAs FET
N-CHANNEL GaAs MES FET
DESCRIPTION
The NE6501077 is power GaAs FET which provides
high gain, high efficiency and high output power in L, S band.
To reduce thermal resistance, the device has a PHS
(Plated Heat Sink) structure.
FEATURES
• Class A operation
• High output power: 39.5 dBm (typ)
• High gain: 10.5 dB (typ)
• High power added efficiency: 40 % (typ)
• Hermetically sealed ceramic package

Numéro de pièce similaire - NE6501077

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
NEC	NE6501077	37Kb / 6P	10 W L, S-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET
California Eastern Labs	NE6501077	32Kb / 2P	L/S BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET
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À propos de Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp est une société de semi-conducteurs japonaise qui fournit une large gamme de microcontrôleurs, de systèmes sur puce et de dispositifs analogiques et d'alimentation pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.
La société a été formée en 2010 grâce à la fusion de NEC Electronics Corporation et de la Renesas Technology Corporation.
Renesas est l'un des plus grands fournisseurs de microcontrôleurs au monde et est connu pour son expertise dans le développement de technologies avancées dans des domaines tels que l'Internet des objets (IoT), l'intelligence artificielle (IA) et l'électronique automobile.
La société a des opérations dans plus de 20 pays et ses produits sont utilisés dans un large éventail d'applications.

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