NE32984D Fiches technique(PDF)

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NE32984D Fiches technique (PDF) - Renesas Technology Corp

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HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

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NE32984D Détails du produit

DESCRIPTION
The NE32984D is a Hetero Junction FET that utilizes the
hetero junction to create high mobility electrons. Its excellent
low noise and high associated gain make it suitable for DBS
and another commercial systems.
FEATURES
• Super Low Noise Figure & High Associated Gain
NF = 0.40 dB TYP., Ga = 12.5 dB TYP. at f = 12 GHz
• Gate Length : Lg d 0.20 Pm
• Gate Width : Wg = 200 Pm

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À propos de Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp est une société de semi-conducteurs japonaise qui fournit une large gamme de microcontrôleurs, de systèmes sur puce et de dispositifs analogiques et d'alimentation pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.
La société a été formée en 2010 grâce à la fusion de NEC Electronics Corporation et de la Renesas Technology Corporation.
Renesas est l'un des plus grands fournisseurs de microcontrôleurs au monde et est connu pour son expertise dans le développement de technologies avancées dans des domaines tels que l'Internet des objets (IoT), l'intelligence artificielle (IA) et l'électronique automobile.
La société a des opérations dans plus de 20 pays et ses produits sont utilisés dans un large éventail d'applications.

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