CEP38N08 Fiches technique(PDF) - CET-MOS Technology Corp.

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CEP38N08 Fiches technique (PDF) - CET-MOS Technology Corp.

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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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Fabricant	CET-MOS [CET-MOS Technology Corp.]

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Description	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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CEP38N08 Détails du produit

FEATURES
80V, 38A, RDS(ON) = 30mW @VGS = 10V.
Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).
High power and current handing capability.
TO-220 & TO-263 package.
Lead-free plating ; RoHS compliant.
RDS(ON) = 40mW @VGS = 4.5V.

Numéro de pièce similaire - CEP38N08

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
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	CEP38N65SA	530Kb / 5P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Rev 1. 2022.April
	CEP38N65SF	512Kb / 5P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Rev 1. 2022.Aug

Description similaire - CEP38N08

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
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	PHP78NQ03LT	292Kb / 14P	N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01-14 November 2001
	SI4410DY	266Kb / 13P	N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 02-05 July 2001
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Fairchild Semiconductor	FDC633N	278Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Fairchild Semiconductor	FDT459N	89Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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