CEP10N6 Fiches technique(PDF) - CET-MOS Technology Corp.

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CEP10N6 Fiches technique (PDF) - CET-MOS Technology Corp.

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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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Description	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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CEP10N6 Détails du produit

FEATURES
Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).
High power and current handing capability.
Lead free product is acquired.

Numéro de pièce similaire - CEP10N6

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Chino-Excel Technology	CEP10N6	45Kb / 5P	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Chino-Excel Technology	CEP10N65	390Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
CET-MOS Technology Corp...	CEP10N65	733Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Rev 5. 2020.Mar
Chino-Excel Technology	CEP10N6	403Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Description similaire - CEP10N6

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
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	PHP47NQ10T	267Kb / 14P	N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01-16 May 2001
	PHP78NQ03LT	292Kb / 14P	N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01-14 November 2001
	SI4410DY	266Kb / 13P	N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 02-05 July 2001
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	SI9956DY	253Kb / 13P	N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01-16 July 2001
Fairchild Semiconductor	FDC633N	278Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Fairchild Semiconductor	FDT459N	89Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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