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SGT120R65AL Fiches technique (PDF) - STMicroelectronics
SGT120R65AL Datasheet PDF - STMicroelectronics
No de pièce SGT120R65AL
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Taille du fichier   649.49 Kbytes
Page   17 Pages
Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description 650 V, 75 mΩ typ., 15 A, e-mode PowerGaN transistor

SGT120R65AL Datasheet (PDF)

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SGT120R65AL Datasheet PDF - STMicroelectronics

No de pièce SGT120R65AL
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Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description 650 V, 75 mΩ typ., 15 A, e-mode PowerGaN transistor

SGT120R65AL Fiches technique (HTML) - STMicroelectronics


SGT120R65AL Détails du produit

Features
• Enhancement mode normally off transistor
• Very high switching speed
• High power management capability
• Extremely low capacitances
• Kelvin source pad for optimum gate driving
• Zero reverse recovery charge
Applications
• Adapters for tablets, notebook and AIO
• USB type-C PD adapters and quick chargers
• Wireless chargers
Description
The SGT120R65AL is a 650 V, 15 A e-mode PowerGaN transistor combined with
a well established packaging technology. The resulting G-HEMT device provides
extremely low conduction losses, high current capability and ultra fast switching
operation to enable high power density and unbeatable efficiency performances.




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À propos de STMicroelectronics

Stmicroelectronics est un fabricant multinational d'électronique et de semi-conducteurs basé à Genève, en Suisse.

La société propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des capteurs, des amplificateurs de puissance et des circuits intégrés pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Fondée en 1987, Stmicroelectronics a des opérations dans plus de 100 pays et est l'une des plus grandes sociétés de semi-conducteurs au monde.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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