SBE805 Fiches technique(PDF) - Sanyo Semicon Device

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SBE805 Fiches technique (PDF) - Sanyo Semicon Device

SBE805 Datasheet PDF - Sanyo Semicon Device


No de pièce	SBE805

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Taille du fichier	37.16 Kbytes

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Fabricant	SANYO [Sanyo Semicon Device]

Site Internet	https://www.sanyo-av.com/us/

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Description

30V, 500mA Rectifier

SBE805 Datasheet (PDF)

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Fabricant	SANYO [Sanyo Semicon Device]

Site Internet	https://www.sanyo-av.com/us/

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Description	30V, 500mA Rectifier

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SBE805 Détails du produit

30V, 500mA Rectifier

Features
• Low forward voltage (VF max=0.55V).
• Fast reverse recovery time (trr max=10ns).
• Composite type with 2 diodes contained in the CPH package currently in use, improving the mounting efficiency greatly.
• The chips incorporated are both equivalent to the SB05-03C.

Numéro de pièce similaire - SBE805

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
ON Semiconductor	SBE805	323Kb / 6P	Schottky Barrier Diode 30V, 0.5A, Low IR, Non-Monolithic Dual CPH5 Common Cathode September, 2013
	SBE805	143Kb / 5P	Schottky Barrier Diode 30 V, 0.5 A, Low IR February, 2024 - Rev. 1
	SBE805-S-TL-E	323Kb / 6P	Schottky Barrier Diode 30V, 0.5A, Low IR, Non-Monolithic Dual CPH5 Common Cathode September, 2013
	SBE805-TL-E	323Kb / 6P	Schottky Barrier Diode 30V, 0.5A, Low IR, Non-Monolithic Dual CPH5 Common Cathode September, 2013
	SBE805-TL-W	143Kb / 5P	Schottky Barrier Diode 30 V, 0.5 A, Low IR February, 2024 - Rev. 1

Description similaire - SBE805

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Sanyo Semicon Device	FC805	50Kb / 2P	30V, 500mA Rectifier
	SB05-03C	61Kb / 2P	30V, 500mA Rectifier
	SB05-03Q	63Kb / 2P	30V, 500mA Rectifier
	SB0503EJ	40Kb / 3P	30V, 500mA Rectifier
	SS0503EJ	35Kb / 3P	Schottky Barrier Diode 30V, 500mA Rectifier
Torex Semiconductor	XBS053V13	70Kb / 3P	Schottky Barrier Diode, 500mA, 30V Type
	XB0ASB03A1BR_001	115Kb / 4P	Schottky Barrier Diode 500mA 30V Type
	XBS053V13-12	92Kb / 3P	Schottky Barrier Diode, 500mA, 30V Type
Rohm	2SCR502UB	1Mb / 8P	NPN 500mA 30V General purpose transistors
Rohm	2SCR502E3HZG	1Mb / 9P	NPN 500mA 30V General purpose transistors 20220712 - Rev.001

À propos de Sanyo Semicon Device

Sanyo Semiconductor Device Corporation, ou Sanyo Semicon Device, était une filiale de Sanyo Electric Co., Ltd., une société d'électronique japonaise. Le dispositif Sanyo Semicon était un fabricant de dispositifs semi-conducteurs, y compris des diodes, des transistors et d'autres composants pour l'électronique grand public, l'automobile et les applications industrielles. La société a été créée en 1970 et a eu son siège à Osaka, au Japon.

Le dispositif Sanyo Semicon était connu pour ses produits de haute qualité et son engagement à répondre aux besoins de ses clients. L'entreprise s'est concentrée sur la recherche et le développement et a participé au développement de nouvelles technologies et de nouvelles produits pour l'industrie des semi-conducteurs. Les produits de Sanyo Semicon Device ont été largement utilisés dans une variété d'applications et ont aidé à soutenir la croissance de l'industrie de l'électronique.

En 2010, Sanyo Electric a été acquise par Panasonic Corporation, une société mondiale d'électronique de premier plan. En conséquence, Sanyo Semicon Device est devenu une filiale de Panasonic et a été intégrée dans son entreprise de semi-conducteurs. L'acquisition a permis à Panasonic d'élargir son portefeuille de produits et ses offres sur le marché des semi-conducteurs et de renforcer encore sa position dans l'industrie de l'électronique.

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