MMBT489LT1 Fiches technique(PDF) - ON Semiconductor

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MMBT489LT1 Fiches technique (PDF) - ON Semiconductor

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Fabricant	ONSEMI [ON Semiconductor]

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High Current Surface Mount NPN Silicon Switching Transistor for Load Management in Portable Applications

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Fabricant	ONSEMI [ON Semiconductor]

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Description	High Current Surface Mount NPN Silicon Switching Transistor for Load Management in Portable Applications

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MMBT489LT1 Détails du produit

High Current Surface Mount NPN Silicon Switching Transistor for Load Management in Portable Applications

Features
• Pb−Free Package is Available

Numéro de pièce similaire - MMBT489LT1

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
ON Semiconductor	MMBT489LT1	56Kb / 4P	High Current Surface Mount NPN Silicon Switching Transistor for Load Management in Portable Applications January, 2006 ??Rev. 4
	MMBT489LT1G	56Kb / 4P	High Current Surface Mount NPN Silicon Switching Transistor for Load Management in Portable Applications January, 2006 ??Rev. 4
	MMBT489LT1G	127Kb / 4P	High Current Surface Mount NPN Silicon Switching Transistor August, 2009 ??Rev. 5
	MMBT489LT1G	95Kb / 4P	High Current Surface Mount NPN Silicon Switching Transistor October, 2016 ??Rev. 6
	MMBT489LT1G	95Kb / 4P	High Current Surface Mount NPN Silicon Switching Transistor October, 2016 ??Rev. 6

Description similaire - MMBT489LT1

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
ON Semiconductor	MBT35200MT1	81Kb / 8P	High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management in Portable Applications August, 2000 ??Rev. 1
	NSS35200CF8T1G	66Kb / 6P	High Current Surface Mount PNP Silicon Low VCE-SAT Switching Transistor for Load Management in Portable Applications April, 2005 ??Rev. 2
	NST489AMT1	65Kb / 4P	High Current Surface Mount NPN Silicon Low VCE(sat) Switching Transistor for Load Management in Portable Applications April, 2006 ??Rev. 7
	MBT35200MT1	64Kb / 6P	High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management in Portable Applications June, 2005 ??Rev. 2
	MMBT489LT1	56Kb / 4P	High Current Surface Mount NPN Silicon Switching Transistor for Load Management in Portable Applications January, 2006 ??Rev. 4
	MMBT589LT1	64Kb / 5P	High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management in Portable Applications January, 2007 ??Rev. 4
	MMBT6589T1	63Kb / 5P	High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Switching Transistor for Portable Applications January, 2006 ??Rev. 1
	MMBT589LT1G	138Kb / 5P	High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management in Portable Applications August, 2009 ??Rev. 5
	NST489AMT1-D	144Kb / 4P	High Current Surface Mount NPN Silicon Low VCE(sat) Switching Transistor for Load Management in Portable Applications November, 2011 ??Rev. 8
	MMBT489LT1G	95Kb / 4P	High Current Surface Mount NPN Silicon Switching Transistor October, 2016 ??Rev. 6

À propos de ON Semiconductor

ON Semiconductor est une entreprise cotée en bourse qui conçoit, développe et fabrique une large gamme de produits semi-conducteurs pour une variété d'applications, notamment les marchés automobiles, informatiques, biens de consommation, industriels et communications.
La société a été fondée en 1999 et a son siège à Phoenix, en Arizona.
On Semiconductor offre un large portefeuille de gestion de l'énergie, des semi-conducteurs analogiques et discrets, notamment des MOSFET de puissance, des diodes, des redresseurs, des régulateurs de tension, entre autres.
Les produits de l'entreprise sont conçus pour être économes en énergie, fiables et rentables et sont utilisés dans une variété d'applications, notamment l'électronique portable, les systèmes d'automatisation industrielle, les systèmes d'énergie renouvelable et l'électronique automobile.
On Semiconductor s'engage dans l'innovation et la satisfaction des clients, et s'engage à fournir les meilleures solutions de semi-conducteurs pour répondre aux besoins de nos clients.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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