2SJ331 Fiches technique(PDF)

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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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2SJ331 Détails du produit

SWITCHING
P-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION
The 2SJ311 is P-Channel MOS Field Effect Transistor designed for solenoid, motor and lamp driver.

FEATURES
• Low on-state resistance
RDS(on)1 = 26 mΩ TYP. (VGS = −10 V, ID = −15 A)
RDS(on)2 = 40 mΩ TYP. (VGS = −4 V, ID = −12 A)
• Low input capacitance Ciss = 4300 pF TYP.
• Built-in G-S gate protection diodes

Numéro de pièce similaire - 2SJ331

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
NEC	2SJ331	345Kb / 6P	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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	NP100P04PDG	190Kb / 7P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
Guangdong Kexin Industr...	KPA1790	58Kb / 2P	MOS Field Effect Transistor
	KPA2790GR	58Kb / 2P	MOS Field Effect Transistor
	2SK3919	45Kb / 1P	MOS Field Effect Transistor
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	2SJ598	49Kb / 2P	MOS Field Effect Transistor
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À propos de Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp est une société de semi-conducteurs japonaise qui fournit une large gamme de microcontrôleurs, de systèmes sur puce et de dispositifs analogiques et d'alimentation pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.
La société a été formée en 2010 grâce à la fusion de NEC Electronics Corporation et de la Renesas Technology Corporation.
Renesas est l'un des plus grands fournisseurs de microcontrôleurs au monde et est connu pour son expertise dans le développement de technologies avancées dans des domaines tels que l'Internet des objets (IoT), l'intelligence artificielle (IA) et l'électronique automobile.
La société a des opérations dans plus de 20 pays et ses produits sont utilisés dans un large éventail d'applications.

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