2SC5843 Fiches technique(PDF)

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2SC5843 Fiches technique (PDF) - Renesas Technology Corp

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NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR

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Description	NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR

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2SC5843 Détails du produit

NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR
LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION
6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PACKAGE)

FEATURES
• Ideal for low noise, high-gain amplification
NF = 0.9 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz
• Maximum stable power gain: MSG = 20.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz
• SiGe technology (fT = 60 GHz, fmax = 60 GHz)
• 6-pin lead-less minimold (M16, 1208 package)

Numéro de pièce similaire - 2SC5843

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
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California Eastern Labs	NESG3033M14	281Kb / 7P	NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR
Renesas Technology Corp	NESG340033	224Kb / 12P	NPN Silicon Germanium RF Transistor
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À propos de Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp est une société de semi-conducteurs japonaise qui fournit une large gamme de microcontrôleurs, de systèmes sur puce et de dispositifs analogiques et d'alimentation pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.
La société a été formée en 2010 grâce à la fusion de NEC Electronics Corporation et de la Renesas Technology Corporation.
Renesas est l'un des plus grands fournisseurs de microcontrôleurs au monde et est connu pour son expertise dans le développement de technologies avancées dans des domaines tels que l'Internet des objets (IoT), l'intelligence artificielle (IA) et l'électronique automobile.
La société a des opérations dans plus de 20 pays et ses produits sont utilisés dans un large éventail d'applications.

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