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2SC4554 Fiches technique (PDF) - Renesas Technology Corp

2SC4554 Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
No de pièce 2SC4554
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Fabricant  RENESAS [Renesas Technology Corp]
Site Internet  http://www.renesas.com
Logo RENESAS - Renesas Technology Corp
Description SILICON POWER TRANSISTOR

2SC4554 Datasheet (PDF)

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2SC4554 Datasheet PDF - Renesas Technology Corp

No de pièce 2SC4554
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Fabricant  RENESAS [Renesas Technology Corp]
Site Internet  http://www.renesas.com
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Description SILICON POWER TRANSISTOR

2SC4554 Fiches technique (HTML) - Renesas Technology Corp


2SC4554 Détails du produit

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
FOR SWITCHING

The 2SC4554 is a power transistor designed especially for low
collector saturation voltage and features large current switching at a
low power dissipation.
In addition, a high hFE enables alleviation of the driver load.

FEATURES
• High hFE and low VCE(sat):
hFE ≅ 800 (VCE = 2 V, IC = 5 A)
VCE(sat) ≅ 0.12 V (IC = 5 A, IB = 0.05 A)
• On-chip C to E damper diode
• Mold package that does not require an insulating board or
insulation bushing




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À propos de Renesas Technology Corp


Renesas Technology Corp est une société de semi-conducteurs japonaise qui fournit une large gamme de microcontrôleurs, de systèmes sur puce et de dispositifs analogiques et d'alimentation pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.
La société a été formée en 2010 grâce à la fusion de NEC Electronics Corporation et de la Renesas Technology Corporation.
Renesas est l'un des plus grands fournisseurs de microcontrôleurs au monde et est connu pour son expertise dans le développement de technologies avancées dans des domaines tels que l'Internet des objets (IoT), l'intelligence artificielle (IA) et l'électronique automobile.
La société a des opérations dans plus de 20 pays et ses produits sont utilisés dans un large éventail d'applications.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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