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H5TC4G63CFR-RDJ Fiches technique (PDF) - Hynix Semiconductor

H5TC4G63CFR-RDJ Datasheet PDF - Hynix Semiconductor
No de pièce H5TC4G63CFR-RDJ
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Taille du fichier   472.76 Kbytes
Page   33 Pages
Fabricant  HYNIX [Hynix Semiconductor]
Site Internet  http://www.skhynix.com/kor/main.do
Logo HYNIX - Hynix Semiconductor
Description 4Gb DDR3L SDRAM Lead-Free&Halogen-Free (RoHS Compliant)

H5TC4G63CFR-RDJ Datasheet (PDF)

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H5TC4G63CFR-RDJ Datasheet PDF - Hynix Semiconductor

No de pièce H5TC4G63CFR-RDJ
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Taille du fichier   472.76 Kbytes
Page   33 Pages
Fabricant  HYNIX [Hynix Semiconductor]
Site Internet  http://www.skhynix.com/kor/main.do
Logo HYNIX - Hynix Semiconductor
Description 4Gb DDR3L SDRAM Lead-Free&Halogen-Free (RoHS Compliant)

H5TC4G63CFR-RDJ Fiches technique (HTML) - Hynix Semiconductor


H5TC4G63CFR-RDJ Détails du produit

FEATURES
• VDD=VDDQ=1.35V + 0.100 / - 0.067V
• Fully differential clock inputs (CK, CK) operation
• Differential Data Strobe (DQS, DQS)
• On chip DLL align DQ, DQS and DQS transition with CK
transition
• DM masks write data-in at the both rising and falling
edges of the data strobe
• All addresses and control inputs except data,
data strobes and data masks latched on the
rising edges of the clock
• Programmable CAS latency 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 and 13
supported
• Programmable additive latency 0, CL-1, and CL-2
supported
• Programmable CAS Write latency (CWL) = 5, 6, 7, 8
• Programmable burst length 4/8 with both nibble
sequential and interleave mode
• BL switch on the fly
• 8banks
• Average Refresh Cycle (Tcase of 0 oC~ 95 oC)
- 7.8 μs at 0oC ~ 85 oC
- 3.9 μs at 85oC ~ 95 oC
Commercial Temperature( 0oC ~ 95 oC)
Industrial Temperature( -40oC ~ 95 oC)
• JEDEC standard 78ball FBGA(x8), 96ball FBGA (x16)
• Driver strength selected by EMRS
• Dynamic On Die Termination supported
• Asynchronous RESET pin supported
• ZQ calibration supported
• TDQS (Termination Data Strobe) supported (x8 only)
• Write Levelization supported
• 8 bit pre-fetch




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À propos de Hynix Semiconductor


Hynix Semiconductor est une entreprise sud-coréenne spécialisée dans la conception et la fabrication de semi-conducteurs de mémoire.
La société a été fondée en 1983 et a son siège à Icheon, en Corée du Sud.
Hynix est l'un des principaux producteurs mondiaux de DRAM (Dynamic Random Access Memory) et NAND Flash Memory, qui sont utilisés dans diverses applications telles que les systèmes informatiques, les appareils mobiles et les lecteurs à semi-conducteurs.
Hynix est connu pour son expertise dans la technologie des semi-conducteurs de mémoire et sa capacité à fournir des produits de mémoire de haute qualité et haute performance à ses clients.
La société possède des opérations et des installations dans divers pays du monde et travaille en étroite collaboration avec ses clients pour fournir des solutions de mémoire personnalisées qui répondent à leurs exigences et besoins spécifiques.
En plus de ses produits de mémoire, Hynix fournit également une gamme de produits et de solutions pour les marchés de l'automobile et des centres de données, tels que les produits System-on-a-Chip (SOC) et les produits de mémoire à large bande passante (HBM).

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