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SQJ208EP Fiches technique (PDF) - Vishay Siliconix

SQJ208EP Datasheet PDF - Vishay Siliconix
No de pièce SQJ208EP
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Taille du fichier   481.95 Kbytes
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Fabricant  VISHAY [Vishay Siliconix]
Site Internet  http://www.vishay.com
Logo VISHAY - Vishay Siliconix
Description Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFETs

SQJ208EP Datasheet (PDF)

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SQJ208EP Datasheet PDF - Vishay Siliconix

No de pièce SQJ208EP
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Fabricant  VISHAY [Vishay Siliconix]
Site Internet  http://www.vishay.com
Logo VISHAY - Vishay Siliconix
Description Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFETs

SQJ208EP Fiches technique (HTML) - Vishay Siliconix


SQJ208EP Détails du produit

FEATURES
• TrenchFET® power MOSFET
• AEC-Q101 qualified
• 100 % Rg and UIS tested
• Optimized for synchronous buck applications
• Material categorization:
for definitions of compliance please see
www.vishay.com/doc?99912




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À propos de Vishay Siliconix


Vishay Siliconix est une filiale de Vishay Intertechnology, un fabricant mondial de composants électroniques passifs.
Vishay Siliconix est spécialisée dans la conception, la fabrication et la commercialisation de MOSFET de puissance, IGBTS et autres semi-conducteurs de puissance.
La société a été fondée en 1962 et a son siège à Santa Clara, en Californie.
Vishay Siliconix fournit des solutions d'alimentation pour une variété d'applications, notamment des systèmes d'énergie renouvelable, des équipements industriels, l'informatique et les télécommunications et l'électronique automobile.
Les produits de l'entreprise sont conçus pour une grande efficacité, une faible consommation d'énergie et une forte fiabilité, et sont fabriqués dans des installations de pointe à l'aide de processus de fabrication avancés.
En mettant l'accent sur l'innovation et la satisfaction des clients, Vishay Siliconix s'engage à fournir à ses clients les meilleures solutions de gestion de l'alimentation pour répondre à leurs besoins.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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