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F3NK80Z Fiches technique (PDF) - STMicroelectronics
F3NK80Z Datasheet PDF - STMicroelectronics
No de pièce F3NK80Z
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Taille du fichier   1361.85 Kbytes
Page   29 Pages
Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description N-channel 800 V, 3.8 Ω typ., 2.5 A SuperMESH™ Power MOSFETs in IPAK, DPAK, TO-220FP, TO-220 packages

F3NK80Z Datasheet (PDF)

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F3NK80Z Datasheet PDF - STMicroelectronics

No de pièce F3NK80Z
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Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
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Description N-channel 800 V, 3.8 Ω typ., 2.5 A SuperMESH™ Power MOSFETs in IPAK, DPAK, TO-220FP, TO-220 packages

F3NK80Z Fiches technique (HTML) - STMicroelectronics


F3NK80Z Détails du produit

Features
 Extremely high dv/dt capability
 100% avalanche tested
 Gate charge minimized
 Zener-protected

Applications
 Switching applications

Description
These high voltage devices are Zener-protected
N-channel Power MOSFETs developed using the
SuperMESH™ technology by
STMicroelectronics, an optimization of the
well-established PowerMESH™. In addition to a
significant reduction in on-resistance, these
devices are designed to ensure a high level of
dv/dt capability for the most demanding
applications. Such series complements ST's full
range of high voltage MOSFETs including the
revolutionary MDmesh™ products.




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À propos de STMicroelectronics

Stmicroelectronics est un fabricant multinational d'électronique et de semi-conducteurs basé à Genève, en Suisse.

La société propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des capteurs, des amplificateurs de puissance et des circuits intégrés pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Fondée en 1987, Stmicroelectronics a des opérations dans plus de 100 pays et est l'une des plus grandes sociétés de semi-conducteurs au monde.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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