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STD3NK80ZT4 Fiches technique (PDF) - STMicroelectronics
STD3NK80ZT4 Datasheet PDF - STMicroelectronics
No de pièce STD3NK80ZT4
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Taille du fichier   1361.85 Kbytes
Page   29 Pages
Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description N-channel 800 V, 3.8 Ω typ., 2.5 A SuperMESH™ Power MOSFETs in IPAK, DPAK, TO-220FP, TO-220 packages

STD3NK80ZT4 Datasheet (PDF)

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STD3NK80ZT4 Datasheet PDF - STMicroelectronics

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Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
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Description N-channel 800 V, 3.8 Ω typ., 2.5 A SuperMESH™ Power MOSFETs in IPAK, DPAK, TO-220FP, TO-220 packages

STD3NK80ZT4 Fiches technique (HTML) - STMicroelectronics


STD3NK80ZT4 Détails du produit

Features
 Extremely high dv/dt capability
 100% avalanche tested
 Gate charge minimized
 Zener-protected

Applications
 Switching applications

Description
These high voltage devices are Zener-protected
N-channel Power MOSFETs developed using the
SuperMESH™ technology by
STMicroelectronics, an optimization of the
well-established PowerMESH™. In addition to a
significant reduction in on-resistance, these
devices are designed to ensure a high level of
dv/dt capability for the most demanding
applications. Such series complements ST's full
range of high voltage MOSFETs including the
revolutionary MDmesh™ products.




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À propos de STMicroelectronics

Stmicroelectronics est un fabricant multinational d'électronique et de semi-conducteurs basé à Genève, en Suisse.

La société propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des capteurs, des amplificateurs de puissance et des circuits intégrés pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Fondée en 1987, Stmicroelectronics a des opérations dans plus de 100 pays et est l'une des plus grandes sociétés de semi-conducteurs au monde.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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