TSSS2600 Fiches technique(PDF) - Vishay Siliconix

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TSSS2600 Fiches technique (PDF) - Vishay Siliconix

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No de pièce	TSSS2600

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Fabricant	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAs

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Fabricant	VISHAY [Vishay Siliconix]

Site Internet	http://www.vishay.com

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Description	Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAs

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TSSS2600 Détails du produit

DESCRIPTION
TSSS2600 is an infrared, 950 nm emitting diode in GaAs
technology, molded in a miniature, clear plastic package
with side view lens.

FEATURES
• Package type: leaded
• Package form: side view
• Dimensions (L x W x H in mm): 3.6 x 2.2 x 5
• Peak wavelength: λp = 950 nm
• High reliability
• High radiant power
• High radiant intensity
• Angle of half intensity: ϕ = ± 25°, horizontal
• Low forward voltage
• Suitable for high pulse current operation
• Good spectral matching with Si photodetectors
• Package matched with detector TEST2600
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in
accordance to WEEE 2002/96/EC
Note
** Please see document “Vishay Material Category Policy”:
www.vishay.com/doc?99902

Numéro de pièce similaire - TSSS2600

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Vishay Siliconix	TSSS2600	98Kb / 5P	GaAs IR Emitting Diode in Side View Miniature Package 20-May-99
	TSSS2600	104Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 950 nm, GaAs 05-Sep-08
	TSSS2600	108Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAs 24-Aug-11
	TSSS2600	107Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAs 24-Aug-11
	TSSS2600	104Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 950 nm, GaAs 05-Sep-08

Description similaire - TSSS2600

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Vishay Siliconix	CQY37N	278Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAs 08-Mar-11
	TSUS5200	112Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAs 29-Jun-09
	TSUS3400	108Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAs 25-Aug-11
	TSUS6202	109Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAs 29-Sep-15
	TSUS5200	109Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAs 24-Aug-11
	TSUS4300	110Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAs 20-Oct-15
	TSKS5400	144Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAs 03-Sep-13
	CQY37N	281Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAs 08-Mar-11
	TSUS4400	113Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAs 19-Jan-2021
	TSUS5402	118Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAs 18-Jan-2021

À propos de Vishay Siliconix

Vishay Siliconix est une filiale de Vishay Intertechnology, un fabricant mondial de composants électroniques passifs.
Vishay Siliconix est spécialisée dans la conception, la fabrication et la commercialisation de MOSFET de puissance, IGBTS et autres semi-conducteurs de puissance.
La société a été fondée en 1962 et a son siège à Santa Clara, en Californie.
Vishay Siliconix fournit des solutions d'alimentation pour une variété d'applications, notamment des systèmes d'énergie renouvelable, des équipements industriels, l'informatique et les télécommunications et l'électronique automobile.
Les produits de l'entreprise sont conçus pour une grande efficacité, une faible consommation d'énergie et une forte fiabilité, et sont fabriqués dans des installations de pointe à l'aide de processus de fabrication avancés.
En mettant l'accent sur l'innovation et la satisfaction des clients, Vishay Siliconix s'engage à fournir à ses clients les meilleures solutions de gestion de l'alimentation pour répondre à leurs besoins.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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