NMSD200B01 Fiches technique(PDF) - Diodes Incorporated

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NMSD200B01 Fiches technique (PDF) - Diodes Incorporated

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Fabricant	DIODES [Diodes Incorporated]

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200 mA SYNCHRONOUS RECTIFIER FEATURING N-MOSFET AND SCHOTTKY DIODE

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Description	200 mA SYNCHRONOUS RECTIFIER FEATURING N-MOSFET AND SCHOTTKY DIODE

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NMSD200B01 Détails du produit

General Description
• NMSD200B01 is best suited for switching voltage regulator and power management applications. It improves efficiency and reliability of DC-DC controllers used in Voltage Regulator Modules (VRM) and can support continuous maximum current of 200mA. It features an ESD protected discrete N-MOSFET with low on-resistance and a discrete Schottky diode with low forward drop. It reduces component count, consumes less space and minimizes parasitic losses. The component devices can be used as a part of a circuit or as a stand alone discrete device.

Features
• N-MOSFET with ESD Gate Protection
• N-MOSFET with Low On-Resistance (RDS(ON))
• Low Vf Schottky Diode
• Low Static, Switching and Conduction Losses
• Good Dynamic Performance
• Surface Mount Package Suited for Automated Assembly
• Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1)
• "Green" Device (Note 2)

Numéro de pièce similaire - NMSD200B01

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
C&D Technologies	NMS	109Kb / 2P	6kVDC Isolated 2W Dual Output DC-DC Converters
Murata Power Solutions ...	NMS	129Kb / 4P	6kVDC Isolated 2W Dual Output DC-DC Converters 2023
Richco, Inc.	NMS-306	37Kb / 1P	NYLON METRIC SCREWS
	NMS-308	37Kb / 1P	NYLON METRIC SCREWS
	NMS-310	37Kb / 1P	NYLON METRIC SCREWS

Description similaire - NMSD200B01

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Diodes Incorporated	LMN200B01	570Kb / 10P	200 mA LOAD SWITCH FEATURING PRE-BIASED PNP TRANSISTOR AND N-MOSFET WITH PULL DOWN RESISTOR DS30651 Rev. 7 - 2
	LMN200B02	522Kb / 10P	200 mA LOAD SWITCH FEATURING PRE-BIASED PNP TRANSISTOR AND N-MOSFET WITH GATE PULL DOWN RESISTOR DS30658 Rev. 4 - 2
	LMN200B02	251Kb / 10P	200 mA LOAD SWITCH FEATURING PRE-BIASED PNP TRANSISTOR AND N-MOSFET DS30658 Rev. 7 - 2
Micro Commercial Compon...	RB520S-40	182Kb / 2P	200 mA Schottky Barrier Diode 40 Volts
Cystech Electonics Corp...	MTB1K6N06KS6R	308Kb / 10P	200mA Sychronous Rectifier featuring N-MOSFET and Schottky Diode
Micro Commercial Compon...	RB520S-40	313Kb / 3P	200 mA Schottky Barrier Diode 40 Volts
Microsemi Corporation	1N6675UR-1	417Kb / 6P	200 and 500 mA Schottky Barrier Rectifier
Nexperia B.V. All right...	BAT721	191Kb / 8P	40 V, 200 mA Schottky barrier diode 1 October 2022
	BAT721-Q	191Kb / 8P	40 V, 200 mA Schottky barrier diode 3 May 2023
	RB521S30-Q	229Kb / 11P	200 mA low VF Schottky barrier rectifier 20 April 2023

À propos de Diodes Incorporated

Diodes Incorporated est une société cotée en bourse qui conçoit, fabrique et fournit un large éventail de semi-conducteurs discrets, analogiques et de signaux mixtes et de solutions de puissance complètes.
L'entreprise a été fondée en 1964 et a son siège à Plano, au Texas.
Il fonctionne à l'échelle mondiale avec des centres de vente, de soutien et de conception en Amérique du Nord, en Europe et en Asie.
Diodes Incorporated dessert une variété d'industries, notamment l'automobile, les communications, l'informatique, le consommateur et l'industrie.
La société propose une large gamme de produits, notamment des diodes, des redresseurs, des transistors, des régulateurs de tension, des MOSFET, des conducteurs LED et des dispositifs de protection, entre autres.
La mission de l'entreprise est de fournir aux clients des produits de haute qualité et de haute fiabilité et un excellent service client.
En mettant l'accent sur l'innovation et la satisfaction des clients, Diodes Incorporated s'engage à devenir l'un des principaux fournisseurs de solutions de gestion de l'énergie.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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