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202C2103470XXXX Fiches technique (PDF) - Vishay Siliconix

202C2103470XXXX Datasheet PDF - Vishay Siliconix
No de pièce 202C2103470XXXX
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Fabricant  VISHAY [Vishay Siliconix]
Site Internet  http://www.vishay.com
Logo VISHAY - Vishay Siliconix
Description 1 3/4" (44.5 mm) Single Turn Wirewound Precision Potentiometer

202C2103470XXXX Datasheet (PDF)

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Fabricant  VISHAY [Vishay Siliconix]
Site Internet  http://www.vishay.com
Logo VISHAY - Vishay Siliconix
Description 1 3/4" (44.5 mm) Single Turn Wirewound Precision Potentiometer

202C2103470XXXX Fiches technique (HTML) - Vishay Siliconix


202C2103470XXXX Détails du produit

FEATURES
• Large range of ohmic values: 5  to 65 k
• Screw, servo or bushing mount types available
• Up to 6 sections on the same shaft
• Extra taps upon request
• Material categorization: for definitions of compliance
please see www.vishay.com/doc?99912




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À propos de Vishay Siliconix


Vishay Siliconix est une filiale de Vishay Intertechnology, un fabricant mondial de composants électroniques passifs.
Vishay Siliconix est spécialisée dans la conception, la fabrication et la commercialisation de MOSFET de puissance, IGBTS et autres semi-conducteurs de puissance.
La société a été fondée en 1962 et a son siège à Santa Clara, en Californie.
Vishay Siliconix fournit des solutions d'alimentation pour une variété d'applications, notamment des systèmes d'énergie renouvelable, des équipements industriels, l'informatique et les télécommunications et l'électronique automobile.
Les produits de l'entreprise sont conçus pour une grande efficacité, une faible consommation d'énergie et une forte fiabilité, et sont fabriqués dans des installations de pointe à l'aide de processus de fabrication avancés.
En mettant l'accent sur l'innovation et la satisfaction des clients, Vishay Siliconix s'engage à fournir à ses clients les meilleures solutions de gestion de l'alimentation pour répondre à leurs besoins.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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