TPW1R005PL Fiches technique(PDF) - Toshiba Semiconductor

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TPW1R005PL Fiches technique (PDF) - Toshiba Semiconductor

TPW1R005PL Datasheet PDF - Toshiba Semiconductor


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Fabricant	TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]

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MOSFETs Silicon N-channel MOS

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Fabricant	TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]

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Description	MOSFETs Silicon N-channel MOS

TPW1R005PL Fiches technique (HTML) - Toshiba Semiconductor

TPW1R005PL Détails du produit

Applications
• High-Efficiency DC-DC Converters
• Switching Voltage Regulators
• Motor Drivers

Features
(1) High-speed switching
(2) Small gate charge: QSW = 34 nC (typ.)
(3) Small output charge: Qoss = 98 nC (typ.)
(4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.75 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)
(5) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 45 V)
(6) Enhancement mode: Vth = 1.4 to 2.4 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)

Numéro de pièce similaire - TPW1R005PL

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
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