TPN2R304PL Fiches technique(PDF) - Toshiba Semiconductor

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TPN2R304PL Fiches technique (PDF) - Toshiba Semiconductor

TPN2R304PL Datasheet PDF - Toshiba Semiconductor


No de pièce	TPN2R304PL

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Fabricant	TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]

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MOSFETs Silicon N-channel MOS

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Fabricant	TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]

Site Internet	http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng

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Description	MOSFETs Silicon N-channel MOS

TPN2R304PL Fiches technique (HTML) - Toshiba Semiconductor

TPN2R304PL Détails du produit

Applications
• High-Efficiency DC-DC Converters
• Switching Voltage Regulators
• Motor Drivers

Features
(1) High-speed switching
(2) Small gate charge: QSW = 10.8 nC (typ.)
(3) Small output charge: Qoss = 27 nC (typ.)
(4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.8 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)
(5) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 40 V)
(6) Enhancement mode: Vth = 1.4 to 2.4 V (VDS = 10 V, ID = 0.3 mA)

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