TPN2010FNH Fiches technique(PDF) - Toshiba Semiconductor

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TPN2010FNH Fiches technique (PDF) - Toshiba Semiconductor

TPN2010FNH Datasheet PDF - Toshiba Semiconductor


No de pièce	TPN2010FNH

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Fabricant	TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]

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MOSFETs Silicon N-channel MOS

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Fabricant	TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]

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Description	MOSFETs Silicon N-channel MOS

TPN2010FNH Fiches technique (HTML) - Toshiba Semiconductor

TPN2010FNH Détails du produit

Applications
• High-Efficiency DC-DC Converters
• Switching Voltage Regulators

Features
(1) High-speed switching
(2) Small gate charge: QSW = 2.6 nC (typ.)
(3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 168 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)
(4) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 250 V)
(5) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.2 mA)

Numéro de pièce similaire - TPN2010FNH

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
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