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TIM0910-30L Fiches technique (PDF) - Toshiba Semiconductor
TIM0910-30L Datasheet PDF - Toshiba Semiconductor
No de pièce TIM0910-30L
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Taille du fichier   270.28 Kbytes
Page   6 Pages
Fabricant  TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]
Site Internet  http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng
Logo TOSHIBA - Toshiba Semiconductor
Description MICROWAVE POWER GaAs FET

TIM0910-30L Datasheet (PDF)

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TIM0910-30L Datasheet PDF - Toshiba Semiconductor

No de pièce TIM0910-30L
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Fabricant  TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]
Site Internet  http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng
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Description MICROWAVE POWER GaAs FET

TIM0910-30L Fiches technique (HTML) - Toshiba Semiconductor


TIM0910-30L Détails du produit

FEATURES
･BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET
･HIGH POWER
P1dB= 45.0dBm at 9.5GHz to 10.5GHz
･HIGH GAIN
G1dB= 7.0dB at 10.5GHz to 10.5GHz
･LOW INTERMODULATION DISTORTION
IM3= -25dBc (Min.) at Pout= 38dBm (Single Carrier Level)
･HERMETICALLY SEALED PACKAGE




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